iPhone 6 Plus 128GBのクラッシュや再起動はフラッシュメモリの不具合が原因か?

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iPhone 6 Plus 128GBのクラッシュ問題はハード的不具合の可能性

以前に、iPhone 6 Plus 128GBモデル限定でアプリのクラッシュや再起動を繰り返すという不具合が一部で報告されていることを伝えしましたが、ハードウェアの問題である可能性が高くなってきたようです。

http://itstrike.biz/apple/iphone/18886/

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不具合がある可能性がある部分として、iPhone 6 Plus 128GBモデルに搭載されているTLC(Triple Level Cell)NANDフラッシュメモリに内蔵されているコントローラーICが不具合を起こしているのではと指摘されています。

フラッシュメモリの記録方式の違い

フラッシュメモリの記録方式に一般的にはMLC(Multiple Level Cell)やSLC(Single Level Cell)と呼ばれるものが採用されますが、iPhone 6 Plus 128GBモデルにはTLC(Triple Level Cell)が採用されており、TLCは読み取り速度は若干遅いところがありますがコストが安く抑えることができるため同モデルにだけ採用されているそうです。

また、SamsungのSSD「840 EVO」もTLCが採用されており、読み込み速度が遅くなる問題が報告されており、TLCのコントローラICの問題である可能性が高いのかもしれません。

他のiPhone 6のモデルは基本的にはMLCが採用されているようですが、一部のiPadにもTLCが採用されているとのことで、やはりコストが高くなりがちな128GBモデルに採用されているのかもしれません。

価格の高いモデルで若干読み込み速度が遅いフラッシュメモリが採用されているとなると少し考え物ですね…!

MacRumors
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